Taldea zenbakia :
FCU2250N80Z
fabrikatzailea :
ON Semiconductor
deskribapena :
MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK
Taldearen egoera :
Active
Teknologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Xukatu iturburuko tentsioa (Vdss) :
800V
Korrontea - Etengabeko hustubidea (Id) @ 25 ° C :
2.6A (Tc)
Unitatearen Tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.25 Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 260µA
Ateko karga (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 10V
Sarrerako ahalmena (Ciss) (Max) @ Vds :
585pF @ 100V
Potentzia xahutzea (Max) :
39W (Tc)
Eragiketa tenperatura :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Muntatzeko mota :
Through Hole
Hornitzaileentzako gailu paketea :
I-PAK
Paketea / Kaxa :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA