Taldea zenbakia :
IPG20N04S4L08ATMA1
fabrikatzailea :
Infineon Technologies
deskribapena :
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Series :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Taldearen egoera :
Active
FET Mota :
2 N-Channel (Dual)
FET Ezaugarria :
Logic Level Gate
Xukatu iturburuko tentsioa (Vdss) :
40V
Korrontea - Etengabeko hustubidea (Id) @ 25 ° C :
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.2 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 22µA
Ateko karga (Qg) (Max) @ Vgs :
39nC @ 10V
Sarrerako ahalmena (Ciss) (Max) @ Vds :
3050pF @ 25V
Eragiketa tenperatura :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Muntatzeko mota :
Surface Mount
Paketea / Kaxa :
8-PowerVDFN
Hornitzaileentzako gailu paketea :
PG-TDSON-8-4