Infineon Technologies - IPG20N04S4L08ATMA1

KEY Part #: K6525251

IPG20N04S4L08ATMA1 Prezioak (USD) [150444piezak Stock]

  • 1 pcs$0.24585
  • 5,000 pcs$0.22555

Taldea zenbakia:
IPG20N04S4L08ATMA1
fabrikatzailea:
Infineon Technologies
Deskribapen zehatza:
MOSFET 2N-CH 8TDSON.
Fabrikatzailearen denbora beruna:
Badago
Bizimodua:
Urte bat
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Ordaintzeko modua:
Bidalketa modua:
Familia Kategoriak:
KEY Components Co., LTD. Osagaien banatzaile elektronikoa da. Produktuen kategoria eskaintzen du: Potentzia kontrolatzeko moduluak, Transistoreak - FETak, MOSFETak - Bakarrak, Tiristorrak - SCRak - Moduluak, Transistoreak - JFETak, Diodoak - Zener - Bakarka, Tiristoreak - DIACak, SIDACak, Transistoreak - Bipolarrak (BJT) - Matrizeak, alde and Transistoreak - Bipolarrak (BJT) - Matrizeak ...
Abantaila lehiakorra:
We specialize in Infineon Technologies IPG20N04S4L08ATMA1 electronic components. IPG20N04S4L08ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPG20N04S4L08ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPG20N04S4L08ATMA1 Produktuen atributuak

Taldea zenbakia : IPG20N04S4L08ATMA1
fabrikatzailea : Infineon Technologies
deskribapena : MOSFET 2N-CH 8TDSON
Series : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Taldearen egoera : Active
FET Mota : 2 N-Channel (Dual)
FET Ezaugarria : Logic Level Gate
Xukatu iturburuko tentsioa (Vdss) : 40V
Korrontea - Etengabeko hustubidea (Id) @ 25 ° C : 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.2 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 22µA
Ateko karga (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 10V
Sarrerako ahalmena (Ciss) (Max) @ Vds : 3050pF @ 25V
Potentzia - Max : 54W
Eragiketa tenperatura : -55°C ~ 175°C (TJ)
Muntatzeko mota : Surface Mount
Paketea / Kaxa : 8-PowerVDFN
Hornitzaileentzako gailu paketea : PG-TDSON-8-4