Taldea zenbakia :
SG2013J-883B
fabrikatzailea :
Microsemi Corporation
deskribapena :
TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP
Taldearen egoera :
Active
Transistore mota :
7 NPN Darlington
Unean - Bildumagilea (Ik) (Max) :
600mA
Tentsioa - Kolektorearen emisorearen matxura (Max) :
50V
Vce saturazioa (Max) @ Ib, Ic :
1.9V @ 600µA, 500mA
Unean - Bildumaren ebakia (Max) :
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
900 @ 500mA, 2V
Maiztasuna - Trantsizioa :
-
Eragiketa tenperatura :
150°C (TJ)
Muntatzeko mota :
Through Hole
Hornitzaileentzako gailu paketea :
16-CDIP