Taldea zenbakia :
TPH8R80ANH,L1Q
fabrikatzailea :
Toshiba Semiconductor and Storage
deskribapena :
MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
Taldearen egoera :
Active
Teknologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Xukatu iturburuko tentsioa (Vdss) :
100V
Korrontea - Etengabeko hustubidea (Id) @ 25 ° C :
32A (Tc)
Unitatearen Tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 500µA
Ateko karga (Qg) (Max) @ Vgs :
33nC @ 10V
Sarrerako ahalmena (Ciss) (Max) @ Vds :
2800pF @ 50V
Potentzia xahutzea (Max) :
1.6W (Ta), 61W (Tc)
Eragiketa tenperatura :
150°C (TJ)
Muntatzeko mota :
Surface Mount
Hornitzaileentzako gailu paketea :
8-SOP Advance (5x5)
Paketea / Kaxa :
8-PowerVDFN