Taldea zenbakia :
1N4150UR-1
fabrikatzailea :
Microsemi Corporation
deskribapena :
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA
Taldearen egoera :
Active
Tentsioa - DC alderantzikatua (Vr) (Max) :
50V
Oraingoa - Batez besteko laukizatua (Io) :
200mA
Tentsioa - Aurrera (Vf) (Max) @ If :
1V @ 200mA
Abiadura :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Alderantzizko berreskurapen denbora (trr) :
4ns
Oraingoa - alderantzizko ihesa @ Vr :
100nA @ 50V
Muntatzeko mota :
Surface Mount
Paketea / Kaxa :
DO-213AA (Glass)
Hornitzaileentzako gailu paketea :
DO-213AA
Eragiketa tenperatura - Junction :
-65°C ~ 175°C