Zure kokapena zerrendatuta ez badago, hautatu hauetako bat:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Zure kokapena zerrendatuta ez badago, hautatu hauetako bat:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Hasiera
  2. Produktuak
  3. Produktu erdieroale diskretuak
  4. Diodoak - Errektifikatzaileak - Bakarrak
  5. JAN1N5416

Microsemi Corporation - JAN1N5416

KEY Part #: K6427895

JAN1N5416 Prezioak (USD) [8548piezak Stock]

  • 1 pcs$4.82104
  • 118 pcs$3.81150
Taldea zenbakia:
JAN1N5416
fabrikatzailea:
Microsemi Corporation
Deskribapen zehatza:
DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 3A FAST 100V
Fabrikatzailearen denbora beruna:
Badago
Bizimodua:
Urte bat
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Ordaintzeko modua:
Bidalketa modua:
Familia Kategoriak:
KEY Components Co., LTD. Osagaien banatzaile elektronikoa da. Produktuen kategoria eskaintzen du: Transistoreak - IGBTak - Moduluak, Transistoreak - FETak, MOSFETak - Bakarrak, Transistoreak - Bipolarrak (BJT) - Matrizeak, Tiristorrak - EKTak, Transistoreak - IGBTak - Bakarka, Transistoreak - Bipolarrak (BJT) - Matrizeak, alde, Transistoreak - JFETak and Diodoak - Zener - Arrays ...
Abantaila lehiakorra:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5416 electronic components. JAN1N5416 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5416, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5416 Produktuen atributuak

Taldea zenbakia : JAN1N5416
fabrikatzailea : Microsemi Corporation
deskribapena : DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
Series : Military, MIL-PRF-19500/411
Taldearen egoera : Active
Diodo mota : Standard
Tentsioa - DC alderantzikatua (Vr) (Max) : 100V
Oraingoa - Batez besteko laukizatua (Io) : 3A
Tentsioa - Aurrera (Vf) (Max) @ If : 1.5V @ 9A
Abiadura : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Alderantzizko berreskurapen denbora (trr) : 150ns
Oraingoa - alderantzizko ihesa @ Vr : 1µA @ 100V
Edukiera @ Vr, F : -
Muntatzeko mota : Through Hole
Paketea / Kaxa : B, Axial
Hornitzaileentzako gailu paketea : -
Eragiketa tenperatura - Junction : -65°C ~ 175°C

Azken berriak

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Era berean, interesatuko zaizu
  • GP2D003A065C

    Global Power Technologies Group

    DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO252-2.

  • V20PWM15-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 150V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 20A If(AV)

  • V20PW45HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 20A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

  • V20PW15HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 150V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 20A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

  • V20120SG-M3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 20A,120V,TRENCH SKY RECT.

  • VFT3080S-E3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30A 80V ITO-220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30A,80V,Trench

Pieza beroak