Taldea zenbakia :
SI7172DP-T1-GE3
fabrikatzailea :
Vishay Siliconix
deskribapena :
MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
Taldearen egoera :
Active
Teknologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Xukatu iturburuko tentsioa (Vdss) :
200V
Korrontea - Etengabeko hustubidea (Id) @ 25 ° C :
25A (Tc)
Unitatearen Tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
70 mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Ateko karga (Qg) (Max) @ Vgs :
77nC @ 10V
Sarrerako ahalmena (Ciss) (Max) @ Vds :
2250pF @ 100V
Potentzia xahutzea (Max) :
5.4W (Ta), 96W (Tc)
Eragiketa tenperatura :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Muntatzeko mota :
Surface Mount
Hornitzaileentzako gailu paketea :
PowerPAK® SO-8
Paketea / Kaxa :
PowerPAK® SO-8