Vishay Siliconix - SIA472EDJ-T1-GE3

KEY Part #: K6421411

SIA472EDJ-T1-GE3 Prezioak (USD) [530527piezak Stock]

  • 1 pcs$0.06972

Taldea zenbakia:
SIA472EDJ-T1-GE3
fabrikatzailea:
Vishay Siliconix
Deskribapen zehatza:
MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6.
Fabrikatzailearen denbora beruna:
Badago
Bizimodua:
Urte bat
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Ordaintzeko modua:
Bidalketa modua:
Familia Kategoriak:
KEY Components Co., LTD. Osagaien banatzaile elektronikoa da. Produktuen kategoria eskaintzen du: Potentzia kontrolatzeko moduluak, Diodoak - Zener - Arrays, Transistoreak - Xede Berezia, Transistoreak - Bipolarrak (BJT) - Matrizeak, alde, Transistoreak - Bipolarrak (BJT) - Matrizeak, Transistoreak - Bipolarrak (BJT) - Bakarka, Transistoreak - Bipolarrak (BJT) - Bakarka, aldez and Tiristoreak - DIACak, SIDACak ...
Abantaila lehiakorra:
We specialize in Vishay Siliconix SIA472EDJ-T1-GE3 electronic components. SIA472EDJ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA472EDJ-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIA472EDJ-T1-GE3 Produktuen atributuak

Taldea zenbakia : SIA472EDJ-T1-GE3
fabrikatzailea : Vishay Siliconix
deskribapena : MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6
Series : TrenchFET®
Taldearen egoera : Active
FET Mota : N-Channel
Teknologia : MOSFET (Metal Oxide)
Xukatu iturburuko tentsioa (Vdss) : 30V
Korrontea - Etengabeko hustubidea (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)
Unitatearen Tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 10.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Ateko karga (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V
Vgs (Max) : ±12V
Sarrerako ahalmena (Ciss) (Max) @ Vds : 1265pF @ 15V
FET Ezaugarria : -
Potentzia xahutzea (Max) : 19.2W (Tc)
Eragiketa tenperatura : -55°C ~ 150°C (TJ)
Muntatzeko mota : Surface Mount
Hornitzaileentzako gailu paketea : PowerPAK® SC-70-6 Single
Paketea / Kaxa : PowerPAK® SC-70-6

Era berean, interesatuko zaizu