Taldea zenbakia :
FDG410NZ
fabrikatzailea :
ON Semiconductor
deskribapena :
MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6
Taldearen egoera :
Active
Teknologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Xukatu iturburuko tentsioa (Vdss) :
20V
Korrontea - Etengabeko hustubidea (Id) @ 25 ° C :
2.2A (Ta)
Unitatearen Tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
70 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Ateko karga (Qg) (Max) @ Vgs :
7.2nC @ 4.5V
Sarrerako ahalmena (Ciss) (Max) @ Vds :
535pF @ 10V
Potentzia xahutzea (Max) :
420mW (Ta)
Eragiketa tenperatura :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Muntatzeko mota :
Surface Mount
Hornitzaileentzako gailu paketea :
SC-88 (SC-70-6)
Paketea / Kaxa :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363