Taldea zenbakia :
EPC2037
deskribapena :
GAN TRANS 100V 550MOHM BUMPED DI
Taldearen egoera :
Active
Teknologia :
GaNFET (Gallium Nitride)
Xukatu iturburuko tentsioa (Vdss) :
100V
Korrontea - Etengabeko hustubidea (Id) @ 25 ° C :
1.7A (Ta)
Unitatearen Tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
550 mOhm @ 100mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 80µA
Ateko karga (Qg) (Max) @ Vgs :
0.12nC @ 5V
Sarrerako ahalmena (Ciss) (Max) @ Vds :
14pF @ 50V
Potentzia xahutzea (Max) :
-
Eragiketa tenperatura :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Muntatzeko mota :
Surface Mount
Hornitzaileentzako gailu paketea :
Die