Infineon Technologies - IPB200N25N3GATMA1

KEY Part #: K6417058

IPB200N25N3GATMA1 Prezioak (USD) [24269piezak Stock]

  • 1 pcs$1.69814

Taldea zenbakia:
IPB200N25N3GATMA1
fabrikatzailea:
Infineon Technologies
Deskribapen zehatza:
MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3.
Fabrikatzailearen denbora beruna:
Badago
Bizimodua:
Urte bat
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Ordaintzeko modua:
Bidalketa modua:
Familia Kategoriak:
KEY Components Co., LTD. Osagaien banatzaile elektronikoa da. Produktuen kategoria eskaintzen du: Diodoak - Errektifikatzaileak - Bakarrak, Tiristorrak - EKTak, Transistoreak - Xede Berezia, Transistoreak - FETak, MOSFETak - Arrays, Transistoreak - FETak, MOSFETak - Bakarrak, Diodoak - Edukiera aldakorra (Varicaps, Varactors), Diodoak - Zener - Bakarka and Tiristoreak - DIACak, SIDACak ...
Abantaila lehiakorra:
We specialize in Infineon Technologies IPB200N25N3GATMA1 electronic components. IPB200N25N3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB200N25N3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB200N25N3GATMA1 Produktuen atributuak

Taldea zenbakia : IPB200N25N3GATMA1
fabrikatzailea : Infineon Technologies
deskribapena : MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
Series : OptiMOS™
Taldearen egoera : Active
FET Mota : N-Channel
Teknologia : MOSFET (Metal Oxide)
Xukatu iturburuko tentsioa (Vdss) : 250V
Korrontea - Etengabeko hustubidea (Id) @ 25 ° C : 64A (Tc)
Unitatearen Tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 64A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 270µA
Ateko karga (Qg) (Max) @ Vgs : 86nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Sarrerako ahalmena (Ciss) (Max) @ Vds : 7100pF @ 100V
FET Ezaugarria : -
Potentzia xahutzea (Max) : 300W (Tc)
Eragiketa tenperatura : -55°C ~ 175°C (TJ)
Muntatzeko mota : Surface Mount
Hornitzaileentzako gailu paketea : D²PAK (TO-263AB)
Paketea / Kaxa : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Era berean, interesatuko zaizu
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • FDD4685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK.