Diodes Incorporated - 1N4004G-T

KEY Part #: K6455832

1N4004G-T Prezioak (USD) [1771238piezak Stock]

  • 1 pcs$0.02088
  • 5,000 pcs$0.01914
  • 10,000 pcs$0.01627
  • 25,000 pcs$0.01531
  • 50,000 pcs$0.01436
  • 125,000 pcs$0.01244

Taldea zenbakia:
1N4004G-T
fabrikatzailea:
Diodes Incorporated
Deskribapen zehatza:
DIODE GEN PURP 400V 1A DO41. Rectifiers 1.0A 400V
Fabrikatzailearen denbora beruna:
Badago
Bizimodua:
Urte bat
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Ordaintzeko modua:
Bidalketa modua:
Familia Kategoriak:
KEY Components Co., LTD. Osagaien banatzaile elektronikoa da. Produktuen kategoria eskaintzen du: Transistoreak - FETak, MOSFETak - Arrays, Transistoreak - Bipolarrak (BJT) - Bakarka, aldez , Transistoreak - JFETak, Transistoreak - FETak, MOSFETak - Bakarrak, Diodoak - Zubi zatitzaileak, Transistoreak - Bipolarrak (BJT) - Matrizeak, alde, Transistoreak - Bipolarrak (BJT) - Matrizeak and Diodoak - Errektifikatzaileak - Bakarrak ...
Abantaila lehiakorra:
We specialize in Diodes Incorporated 1N4004G-T electronic components. 1N4004G-T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4004G-T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N4004G-T Produktuen atributuak

Taldea zenbakia : 1N4004G-T
fabrikatzailea : Diodes Incorporated
deskribapena : DIODE GEN PURP 400V 1A DO41
Series : -
Taldearen egoera : Active
Diodo mota : Standard
Tentsioa - DC alderantzikatua (Vr) (Max) : 400V
Oraingoa - Batez besteko laukizatua (Io) : 1A
Tentsioa - Aurrera (Vf) (Max) @ If : 1V @ 1A
Abiadura : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Alderantzizko berreskurapen denbora (trr) : 2µs
Oraingoa - alderantzizko ihesa @ Vr : 5µA @ 400V
Edukiera @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
Muntatzeko mota : Through Hole
Paketea / Kaxa : DO-204AL, DO-41, Axial
Hornitzaileentzako gailu paketea : DO-41
Eragiketa tenperatura - Junction : -65°C ~ 175°C

Era berean, interesatuko zaizu
  • BAT54E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

  • BAS16E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A

  • DB3X317K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 30V 1A MINI3.

  • CMDD6001 TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA

  • VS-5EWH06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns

  • 1N4150W-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns