Taldea zenbakia :
1N3595UR-1
fabrikatzailea :
Microsemi Corporation
deskribapena :
DIODE GEN PURP 125V 150MA DO213
Taldearen egoera :
Active
Tentsioa - DC alderantzikatua (Vr) (Max) :
125V
Oraingoa - Batez besteko laukizatua (Io) :
150mA (DC)
Tentsioa - Aurrera (Vf) (Max) @ If :
1V @ 200mA
Abiadura :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Alderantzizko berreskurapen denbora (trr) :
3µs
Oraingoa - alderantzizko ihesa @ Vr :
1nA @ 125V
Muntatzeko mota :
Surface Mount
Paketea / Kaxa :
DO-213AA
Hornitzaileentzako gailu paketea :
DO-213AA
Eragiketa tenperatura - Junction :
-65°C ~ 175°C