Micron Technology Inc. - MT29F2G08ABAEAH4-IT:E

KEY Part #: K937717

MT29F2G08ABAEAH4-IT:E Prezioak (USD) [17835piezak Stock]

  • 1 pcs$2.78963

Taldea zenbakia:
MT29F2G08ABAEAH4-IT:E
fabrikatzailea:
Micron Technology Inc.
Deskribapen zehatza:
IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash SLC 2G 256MX8 FBGA
Fabrikatzailearen denbora beruna:
Badago
Bizimodua:
Urte bat
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Ordaintzeko modua:
Bidalketa modua:
Familia Kategoriak:
KEY Components Co., LTD. Osagaien banatzaile elektronikoa da. Produktuen kategoria eskaintzen du: Interfazea - ​​Telekomunikazioa, PMIC - Tentsio erregulatzaileak - Linear Regulator, PMIC - Tentsio erregulatzaileak - DC DC Switchchin, Logika - Logiken espezialitatea, PMIC - Laser kontrolatzaileak, Lineala - Bideoa prozesatzea, Interfazea - ​​Iragazkiak - Aktiboa and Interfazea - ​​Seinale Bufferrak, errepikatzaileak ...
Abantaila lehiakorra:
We specialize in Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAH4-IT:E electronic components. MT29F2G08ABAEAH4-IT:E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT29F2G08ABAEAH4-IT:E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT29F2G08ABAEAH4-IT:E Produktuen atributuak

Taldea zenbakia : MT29F2G08ABAEAH4-IT:E
fabrikatzailea : Micron Technology Inc.
deskribapena : IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA
Series : -
Taldearen egoera : Active
Memoria Mota : Non-Volatile
Memoria formatua : FLASH
Teknologia : FLASH - NAND
Memoria neurria : 2Gb (256M x 8)
Erlojuaren maiztasuna : -
Idatzi zikloaren denbora - Word, Orrialdea : -
Sarbide ordua : -
Memoria interfazea : Parallel
Tentsioa - Hornidura : 2.7V ~ 3.6V
Eragiketa tenperatura : -40°C ~ 85°C (TA)
Muntatzeko mota : Surface Mount
Paketea / Kaxa : 63-VFBGA
Hornitzaileentzako gailu paketea : 63-VFBGA (9x11)

Era berean, interesatuko zaizu
  • 71V25761S166PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W9812G2KB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 128M SDR SDRAM x32, 166MHz,

  • W9825G2JB-75

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 133MHz,

  • W9825G2JB-6

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz,

  • IS66WVC4M16EALL-7010BLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA.

  • W97AH2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM 1Gb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C