Vishay Semiconductor Diodes Division - BAV102-GS08

KEY Part #: K6447815

BAV102-GS08 Prezioak (USD) [2587754piezak Stock]

  • 1 pcs$0.01429
  • 2,500 pcs$0.01377
  • 5,000 pcs$0.01242
  • 12,500 pcs$0.01080
  • 25,000 pcs$0.00972
  • 62,500 pcs$0.00864
  • 125,000 pcs$0.00720

Taldea zenbakia:
BAV102-GS08
fabrikatzailea:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Deskribapen zehatza:
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1.0 Amp 200V 500mW
Fabrikatzailearen denbora beruna:
Badago
Bizimodua:
Urte bat
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Ordaintzeko modua:
Bidalketa modua:
Familia Kategoriak:
KEY Components Co., LTD. Osagaien banatzaile elektronikoa da. Produktuen kategoria eskaintzen du: Transistoreak - Xede Berezia, Tiristorrak - SCRak - Moduluak, Diodoak - Errektifikatzaileak - Arrays, Tiristorrak - EKTak, Transistoreak - IGBTak - Arrays, Diodoak - Zubi zatitzaileak, Diodoak - Edukiera aldakorra (Varicaps, Varactors) and Transistoreak - FETak, MOSFETak - Arrays ...
Abantaila lehiakorra:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAV102-GS08 electronic components. BAV102-GS08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAV102-GS08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAV102-GS08 Produktuen atributuak

Taldea zenbakia : BAV102-GS08
fabrikatzailea : Vishay Semiconductor Diodes Division
deskribapena : DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD80
Series : Automotive, AEC-Q101
Taldearen egoera : Active
Diodo mota : Standard
Tentsioa - DC alderantzikatua (Vr) (Max) : 150V
Oraingoa - Batez besteko laukizatua (Io) : 250mA (DC)
Tentsioa - Aurrera (Vf) (Max) @ If : 1V @ 100mA
Abiadura : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Alderantzizko berreskurapen denbora (trr) : 50ns
Oraingoa - alderantzizko ihesa @ Vr : 100nA @ 150V
Edukiera @ Vr, F : 1.5pF @ 0V, 1MHz
Muntatzeko mota : Surface Mount
Paketea / Kaxa : DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Hornitzaileentzako gailu paketea : SOD-80 MiniMELF
Eragiketa tenperatura - Junction : 175°C (Max)

Era berean, interesatuko zaizu
  • RURD660S9A-F085

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast Power Rectifier, 6A 600V

  • RURD660S9A-F085P

    ON Semiconductor

    UFR DPAK PN 6A 200V. Rectifiers 6A, 600V Ultrafast Diodes

  • FFSD08120A

    ON Semiconductor

    1200V 8A SIC SBD. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A SIC SBD

  • RURD460S9A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Fast Diode 4a 600V

  • DSTD5200

    Littelfuse Inc.

    DIODE SCHOTTKY 5A 200V TO-252. Schottky Diodes & Rectifiers 200V 5A

  • FFD04H60S

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 4A DPAK. Rectifiers 600V, 4A Hyperfast II