Vishay Siliconix - SI3493BDV-T1-GE3

KEY Part #: K6420902

SI3493BDV-T1-GE3 Prezioak (USD) [287068piezak Stock]

  • 1 pcs$0.12885
  • 3,000 pcs$0.10913

Taldea zenbakia:
SI3493BDV-T1-GE3
fabrikatzailea:
Vishay Siliconix
Deskribapen zehatza:
MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP.
Fabrikatzailearen denbora beruna:
Badago
Bizimodua:
Urte bat
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Ordaintzeko modua:
Bidalketa modua:
Familia Kategoriak:
KEY Components Co., LTD. Osagaien banatzaile elektronikoa da. Produktuen kategoria eskaintzen du: Potentzia kontrolatzeko moduluak, Diodoak - Zener - Arrays, Transistoreak - Bipolarrak (BJT) - Bakarka, Transistoreak - Bipolarrak (BJT) - Matrizeak, Tiristoreak - TRIACak, Tiristorrak - SCRak - Moduluak, Transistoreak - FETak, MOSFETak - Bakarrak and Transistoreak - IGBTak - Bakarka ...
Abantaila lehiakorra:
We specialize in Vishay Siliconix SI3493BDV-T1-GE3 electronic components. SI3493BDV-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI3493BDV-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI3493BDV-T1-GE3 Produktuen atributuak

Taldea zenbakia : SI3493BDV-T1-GE3
fabrikatzailea : Vishay Siliconix
deskribapena : MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP
Series : TrenchFET®
Taldearen egoera : Active
FET Mota : P-Channel
Teknologia : MOSFET (Metal Oxide)
Xukatu iturburuko tentsioa (Vdss) : 20V
Korrontea - Etengabeko hustubidea (Id) @ 25 ° C : 8A (Tc)
Unitatearen Tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27.5 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Ateko karga (Qg) (Max) @ Vgs : 43.5nC @ 5V
Vgs (Max) : ±8V
Sarrerako ahalmena (Ciss) (Max) @ Vds : 1805pF @ 10V
FET Ezaugarria : -
Potentzia xahutzea (Max) : 2.08W (Ta), 2.97W (Tc)
Eragiketa tenperatura : -55°C ~ 150°C (TJ)
Muntatzeko mota : Surface Mount
Hornitzaileentzako gailu paketea : 6-TSOP
Paketea / Kaxa : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6