Taldea zenbakia :
SI3493BDV-T1-GE3
fabrikatzailea :
Vishay Siliconix
deskribapena :
MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP
Taldearen egoera :
Active
Teknologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Xukatu iturburuko tentsioa (Vdss) :
20V
Korrontea - Etengabeko hustubidea (Id) @ 25 ° C :
8A (Tc)
Unitatearen Tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
27.5 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
900mV @ 250µA
Ateko karga (Qg) (Max) @ Vgs :
43.5nC @ 5V
Sarrerako ahalmena (Ciss) (Max) @ Vds :
1805pF @ 10V
Potentzia xahutzea (Max) :
2.08W (Ta), 2.97W (Tc)
Eragiketa tenperatura :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Muntatzeko mota :
Surface Mount
Hornitzaileentzako gailu paketea :
6-TSOP
Paketea / Kaxa :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6