Taldea zenbakia :
SI4833BDY-T1-GE3
fabrikatzailea :
Vishay Siliconix
deskribapena :
MOSFET P-CHANNEL 30V 4.6A 8SOIC
Taldearen egoera :
Obsolete
Teknologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Xukatu iturburuko tentsioa (Vdss) :
30V
Korrontea - Etengabeko hustubidea (Id) @ 25 ° C :
4.6A (Tc)
Unitatearen Tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
68 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Ateko karga (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 10V
Sarrerako ahalmena (Ciss) (Max) @ Vds :
350pF @ 15V
FET Ezaugarria :
Schottky Diode (Isolated)
Potentzia xahutzea (Max) :
2.75W (Tc)
Eragiketa tenperatura :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Muntatzeko mota :
Surface Mount
Hornitzaileentzako gailu paketea :
8-SOIC
Paketea / Kaxa :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)