Taldea zenbakia :
GA20SICP12-247
fabrikatzailea :
GeneSiC Semiconductor
deskribapena :
TRANS SJT 1200V 45A TO247
Taldearen egoera :
Obsolete
Teknologia :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Xukatu iturburuko tentsioa (Vdss) :
1200V
Korrontea - Etengabeko hustubidea (Id) @ 25 ° C :
45A (Tc)
Unitatearen Tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 20A
Ateko karga (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Sarrerako ahalmena (Ciss) (Max) @ Vds :
3091pF @ 800V
Potentzia xahutzea (Max) :
282W (Tc)
Eragiketa tenperatura :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Muntatzeko mota :
Through Hole
Hornitzaileentzako gailu paketea :
TO-247AB
Paketea / Kaxa :
TO-247-3