Micron Technology Inc. - MT47H128M8SH-25E AAT:M

KEY Part #: K936875

MT47H128M8SH-25E AAT:M Prezioak (USD) [15327piezak Stock]

  • 1 pcs$3.00455
  • 1,518 pcs$2.98960

Taldea zenbakia:
MT47H128M8SH-25E AAT:M
fabrikatzailea:
Micron Technology Inc.
Deskribapen zehatza:
IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA.
Fabrikatzailearen denbora beruna:
Badago
Bizimodua:
Urte bat
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Ordaintzeko modua:
Bidalketa modua:
Familia Kategoriak:
KEY Components Co., LTD. Osagaien banatzaile elektronikoa da. Produktuen kategoria eskaintzen du: Erlojua / Denbora - Denbora errealeko erlojuak, Logika - Bufferrak, Drivers, Hartzaileak, Transcei, Datuen eskuratzea - ​​Ukipen-pantailen kontrolador, PMIC - Hornidura kontrolagailu, monitoreak, PMIC - RMS DC bihurgailuak, Interfazea - ​​Modemak - ICak eta moduluak, Kapsulatua - Mikrokontroladorea, Mikroprozesadorea and Logika - Itzultzaileak, Mailako Aldatzaileak ...
Abantaila lehiakorra:
We specialize in Micron Technology Inc. MT47H128M8SH-25E AAT:M electronic components. MT47H128M8SH-25E AAT:M can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT47H128M8SH-25E AAT:M, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT47H128M8SH-25E AAT:M Produktuen atributuak

Taldea zenbakia : MT47H128M8SH-25E AAT:M
fabrikatzailea : Micron Technology Inc.
deskribapena : IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
Series : -
Taldearen egoera : Last Time Buy
Memoria Mota : Volatile
Memoria formatua : DRAM
Teknologia : SDRAM - DDR2
Memoria neurria : 1Gb (128M x 8)
Erlojuaren maiztasuna : 400MHz
Idatzi zikloaren denbora - Word, Orrialdea : 15ns
Sarbide ordua : 400ps
Memoria interfazea : Parallel
Tentsioa - Hornidura : 1.7V ~ 1.9V
Eragiketa tenperatura : -40°C ~ 105°C (TC)
Muntatzeko mota : Surface Mount
Paketea / Kaxa : 60-TFBGA
Hornitzaileentzako gailu paketea : 60-FBGA (10x18)

Era berean, interesatuko zaizu
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • IS61LP6432A-133TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16