Taldea zenbakia :
NHPD660T4G
fabrikatzailea :
ON Semiconductor
deskribapena :
DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
Taldearen egoera :
Active
Tentsioa - DC alderantzikatua (Vr) (Max) :
600V
Oraingoa - Batez besteko laukizatua (Io) :
6A
Tentsioa - Aurrera (Vf) (Max) @ If :
3V @ 6A
Abiadura :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Alderantzizko berreskurapen denbora (trr) :
30ns
Oraingoa - alderantzizko ihesa @ Vr :
30µA @ 600V
Muntatzeko mota :
Surface Mount
Paketea / Kaxa :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hornitzaileentzako gailu paketea :
DPAK
Eragiketa tenperatura - Junction :
-65°C ~ 175°C