Taldea zenbakia :
FQA7N60
fabrikatzailea :
ON Semiconductor
deskribapena :
MOSFET N-CH 600V 7.7A TO-3P
Taldearen egoera :
Obsolete
Teknologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Xukatu iturburuko tentsioa (Vdss) :
600V
Korrontea - Etengabeko hustubidea (Id) @ 25 ° C :
7.7A (Tc)
Unitatearen Tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1 Ohm @ 3.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Ateko karga (Qg) (Max) @ Vgs :
38nC @ 10V
Sarrerako ahalmena (Ciss) (Max) @ Vds :
1430pF @ 25V
Potentzia xahutzea (Max) :
152W (Tc)
Eragiketa tenperatura :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Muntatzeko mota :
Through Hole
Hornitzaileentzako gailu paketea :
TO-3P
Paketea / Kaxa :
TO-3P-3, SC-65-3