Taldea zenbakia :
GA06JT12-247
fabrikatzailea :
GeneSiC Semiconductor
deskribapena :
TRANS SJT 1200V 6A TO-247AB
Taldearen egoera :
Obsolete
Teknologia :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Xukatu iturburuko tentsioa (Vdss) :
1200V
Korrontea - Etengabeko hustubidea (Id) @ 25 ° C :
6A (Tc) (90°C)
Unitatearen Tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
220 mOhm @ 6A
Ateko karga (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Sarrerako ahalmena (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Potentzia xahutzea (Max) :
-
Eragiketa tenperatura :
175°C (TJ)
Muntatzeko mota :
Through Hole
Hornitzaileentzako gailu paketea :
TO-247AB
Paketea / Kaxa :
TO-247-3