Taldea zenbakia :
1N6625E3
fabrikatzailea :
Microsemi Corporation
deskribapena :
DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL
Taldearen egoera :
Discontinued at Digi-Key
Tentsioa - DC alderantzikatua (Vr) (Max) :
1100V
Oraingoa - Batez besteko laukizatua (Io) :
1A
Tentsioa - Aurrera (Vf) (Max) @ If :
1.95V @ 1.5A
Abiadura :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Alderantzizko berreskurapen denbora (trr) :
80ns
Oraingoa - alderantzizko ihesa @ Vr :
1µA @ 1000V
Muntatzeko mota :
Through Hole
Paketea / Kaxa :
A, Axial
Hornitzaileentzako gailu paketea :
A, Axial
Eragiketa tenperatura - Junction :
-65°C ~ 150°C