Taldea zenbakia :
IRFBE30LPBF
fabrikatzailea :
Vishay Siliconix
deskribapena :
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
Taldearen egoera :
Active
Teknologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Xukatu iturburuko tentsioa (Vdss) :
800V
Korrontea - Etengabeko hustubidea (Id) @ 25 ° C :
4.1A (Tc)
Unitatearen Tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Ateko karga (Qg) (Max) @ Vgs :
78nC @ 10V
Sarrerako ahalmena (Ciss) (Max) @ Vds :
1300pF @ 25V
Potentzia xahutzea (Max) :
125W (Tc)
Eragiketa tenperatura :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Muntatzeko mota :
Through Hole
Hornitzaileentzako gailu paketea :
I2PAK
Paketea / Kaxa :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA