Taldea zenbakia :
SI3853DV-T1-GE3
fabrikatzailea :
Vishay Siliconix
deskribapena :
MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP
Taldearen egoera :
Obsolete
Teknologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Xukatu iturburuko tentsioa (Vdss) :
20V
Korrontea - Etengabeko hustubidea (Id) @ 25 ° C :
1.6A (Ta)
Unitatearen Tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
200 mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
500mV @ 250µA (Min)
Ateko karga (Qg) (Max) @ Vgs :
4nC @ 4.5V
Sarrerako ahalmena (Ciss) (Max) @ Vds :
-
FET Ezaugarria :
Schottky Diode (Isolated)
Potentzia xahutzea (Max) :
830mW (Ta)
Eragiketa tenperatura :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Muntatzeko mota :
Surface Mount
Hornitzaileentzako gailu paketea :
6-TSOP
Paketea / Kaxa :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6