Taldea zenbakia :
IPI120N06S4H1AKSA2
fabrikatzailea :
Infineon Technologies
deskribapena :
MOSFET N-CH TO262-3
Series :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Taldearen egoera :
Obsolete
Teknologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Xukatu iturburuko tentsioa (Vdss) :
60V
Korrontea - Etengabeko hustubidea (Id) @ 25 ° C :
120A (Tc)
Unitatearen Tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 200µA
Ateko karga (Qg) (Max) @ Vgs :
270nC @ 10V
Sarrerako ahalmena (Ciss) (Max) @ Vds :
21900pF @ 25V
Potentzia xahutzea (Max) :
250W (Tc)
Eragiketa tenperatura :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Muntatzeko mota :
Through Hole
Hornitzaileentzako gailu paketea :
PG-TO262-3-1
Paketea / Kaxa :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA