Taldea zenbakia :
TK4R3A06PL,S4X
fabrikatzailea :
Toshiba Semiconductor and Storage
deskribapena :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Taldearen egoera :
Active
Teknologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Xukatu iturburuko tentsioa (Vdss) :
60V
Korrontea - Etengabeko hustubidea (Id) @ 25 ° C :
68A (Tc)
Unitatearen Tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.2 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 500µA
Ateko karga (Qg) (Max) @ Vgs :
48.2nC @ 10V
Sarrerako ahalmena (Ciss) (Max) @ Vds :
3280pF @ 30V
Potentzia xahutzea (Max) :
36W (Tc)
Eragiketa tenperatura :
175°C (TJ)
Muntatzeko mota :
Through Hole
Hornitzaileentzako gailu paketea :
TO-220SIS
Paketea / Kaxa :
TO-220-3 Full Pack