Taldea zenbakia :
MJD112-1G
fabrikatzailea :
ON Semiconductor
deskribapena :
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Taldearen egoera :
Active
Transistore mota :
NPN - Darlington
Unean - Bildumagilea (Ik) (Max) :
2A
Tentsioa - Kolektorearen emisorearen matxura (Max) :
100V
Vce saturazioa (Max) @ Ib, Ic :
3V @ 40mA, 4A
Unean - Bildumaren ebakia (Max) :
20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
1000 @ 2A, 3V
Maiztasuna - Trantsizioa :
25MHz
Eragiketa tenperatura :
-65°C ~ 150°C (TJ)
Muntatzeko mota :
Through Hole
Paketea / Kaxa :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Hornitzaileentzako gailu paketea :
I-PAK