Taldea zenbakia :
RN1705JE(TE85L,F)
fabrikatzailea :
Toshiba Semiconductor and Storage
deskribapena :
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
Taldearen egoera :
Active
Transistore mota :
2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Unean - Bildumagilea (Ik) (Max) :
100mA
Tentsioa - Kolektorearen emisorearen matxura (Max) :
50V
Erresistorea - Oinarria (R1) :
2.2 kOhms
Erresistorea - Emisidearen oinarria (R2) :
47 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
80 @ 10mA, 5V
Vce saturazioa (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
Unean - Bildumaren ebakia (Max) :
100nA (ICBO)
Maiztasuna - Trantsizioa :
250MHz
Muntatzeko mota :
Surface Mount
Hornitzaileentzako gailu paketea :
ESV