Taldea zenbakia :
IPB80P04P4L06ATMA1
fabrikatzailea :
Infineon Technologies
deskribapena :
MOSFET P-CH TO263-3
Series :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Taldearen egoera :
Active
Teknologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Xukatu iturburuko tentsioa (Vdss) :
40V
Korrontea - Etengabeko hustubidea (Id) @ 25 ° C :
80A (Tc)
Unitatearen Tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.4 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 150µA
Ateko karga (Qg) (Max) @ Vgs :
104nC @ 10V
Sarrerako ahalmena (Ciss) (Max) @ Vds :
6580pF @ 25V
Potentzia xahutzea (Max) :
88W (Tc)
Eragiketa tenperatura :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Muntatzeko mota :
Surface Mount
Hornitzaileentzako gailu paketea :
PG-TO263-3-2
Paketea / Kaxa :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB