1N6484HE3/97 Prezioak (USD) [704650piezak Stock]
- 1 pcs$0.05249
- 10,000 pcs$0.04757
- Taldea zenbakia:
- 1N6484HE3/97
- fabrikatzailea:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Deskribapen zehatza:
- DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1000 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM
- Fabrikatzailearen denbora beruna:
- Badago
- Bizimodua:
- Urte bat
- Chip From:
- Hong Kong
- RoHS:
- Ordaintzeko modua:
-
- Bidalketa modua:
- Familia Kategoriak:
- KEY Components Co., LTD. Osagaien banatzaile elektronikoa da. Produktuen kategoria eskaintzen du: Diodoak - Zener - Arrays, Transistoreak - FETak, MOSFETak - Bakarrak, Transistoreak - FETak, MOSFETak - RF, Tiristoreak - DIACak, SIDACak, Diodoak - Edukiera aldakorra (Varicaps, Varactors), Transistoreak - Bipolarrak (BJT) - RF, Diodoak - Errektifikatzaileak - Bakarrak and Tiristoreak - TRIACak ...
- Abantaila lehiakorra:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N6484HE3/97 electronic components. 1N6484HE3/97 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N6484HE3/97, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N6484HE3/97 Produktuen atributuak
Taldea zenbakia :
1N6484HE3/97
fabrikatzailea :
Vishay Semiconductor Diodes Division
deskribapena :
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
Series :
SUPERECTIFIER®
Taldearen egoera :
Active
Diodo mota :
Standard
Tentsioa - DC alderantzikatua (Vr) (Max) :
1000V
Oraingoa - Batez besteko laukizatua (Io) :
1A
Tentsioa - Aurrera (Vf) (Max) @ If :
1.1V @ 1A
Abiadura :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Alderantzizko berreskurapen denbora (trr) :
-
Oraingoa - alderantzizko ihesa @ Vr :
10µA @ 1000V
Edukiera @ Vr, F :
8pF @ 4V, 1MHz
Muntatzeko mota :
Surface Mount
Paketea / Kaxa :
DO-213AB, MELF (Glass)
Hornitzaileentzako gailu paketea :
DO-213AB
Eragiketa tenperatura - Junction :
-65°C ~ 175°C
Azken berriak
Era berean, interesatuko zaizu
-
GL41YHE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM
-
RGL34G-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
BYM07-300-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
-
BYM07-50-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
-
EGL34C-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 150 Volt 50ns
-
EGL34F-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 300 Volt 50ns
Pieza beroak
- IDL10G65C5XUMA1
- IDK03G65C5XTMA1
- JANTXV1N1190R
- VS-150SQ030
- 1N6304R
- RGP10K-M3/54
- RK 14
- VS-80SQ030TR
- S4250TS
- CD1005-B0140R
- SUF15G-E3/54
- SS3P6-E3/85A
- CDBP0130R-G
- BY229B-400-E3/81
- FGP50D-E3/73
- S204100
- ES3A-E3/51T
- FFPF06UP20STU
- VS-90SQ035TR
- R2040
- 8ETH03
- 80EPS12
- 300HF40P
- S3G-13
- FR603-T
- HFA25PB60
- VS-95SQ015
- SF12M-TP
- CR3-060GPP BK
- APD245VRTR-G1
- MUR140-TP
- HER204-TP
- FR154-TP
- 1N4944-TP
- 1A4-AP
- GIB1404HE3/81
- CMR1U-02 BK
- RX 10ZV
- SE10PB-M3/85A
- SE07PD-M3/85A